硅片是集成电路重要的基础材料，处于集成电路产业链前端，相比于其他半导体材料，硅材料易于制备大尺寸晶体、晶体结构完整性相对易控制、纯度相对易实现，在集成电路平面工艺制程的应用技术更加成熟且更具有规模效益，有着更大的应用领域与需求量，因此，90%以上的芯片都是基于硅材料制造而成，这赋予了硅材料不可替代的行业地位。
在硅衬底材料的加工中，多线切割、研磨等加工过程中会在表面形成损伤层，造成表面粗糙度高，无法满足后续制程工艺要求。为了提高硅片表面的平整度和表面质量通常采用CMP技术对硅衬底进行下一步处理。
硅衬底CMP通常按照三道工艺进行，即粗抛、中抛和精抛。粗抛和中抛工艺段，在CMP材料的匹配施工上，一般是无纺布抛光垫搭配氧化硅抛光液，精抛工艺为阻尼布抛光垫搭配氧化硅抛光液。阻尼布抛光垫为聚氨酯树脂均匀涂布在无纺布纤维或PET薄膜表面，通过凝固成型实现工艺上对耐摩擦性、透水性、轻去除度等最后一道CMP工艺要求，再经过开槽（或有）、裁切、贴压背胶等工序完成阻尼布抛光垫的制备。
目前市面上应用于硅衬底精抛使用的阻尼布抛光垫以千*田735*为主，由于阻尼布抛光垫的凝固机理会在内部形成水滴状或者指型的小孔，用来存储运输抛光液，随着抛光垫使用时间的加长，这些小孔会逐渐被压缩，垫子内部整体的孔隙率降低，从而导致抛光效果下降。
基于此，我司开发了一款硅片精抛用阻尼布抛光垫DPN-50，通过对树脂进行调整，增加最终成品的韧性和抗压能力，使其在长时间压力作用下也能保持较好的孔隙结构，延长使用寿命。
DPN-50特点：
1)表层为多孔聚氨酯绒毛层，底部为无纺布的基材
2)绒毛层厚度较厚，质地柔软，弹性好，有助于获得低缺陷表面
DPN-50-1.5横截面
735*横截面
抛光垫DPN-50与735*的物性参数对比
从物性结果来看，DPN-50的参数和735*基本比较接近，压缩率要低一些，这主要是由于改性树脂的增韧效果导致的。
对比抛光数据，相同环境条件下DPN-50在抛光80小时后，硅片表面的HAZE值还能保持较好的水平，而735*一般在50小时左右就会出现不良。
与现有阻尼布抛光垫相比，DPN-50使用寿命更长，从而降低抛光材料使用成本，提高整体效率。
