身处新能源时代，不得不提到当下热门的新能源汽车行业，其全球市场的成长空间巨大，促使功率器件的需求量日益增加。新能源汽车中用于电机驱动系统主逆变器中的功率器件，其为导电型碳化硅（SiC）衬底外延碳化硅（SiC）生产功率器件，能够显著降低电力电子器件的体积、重量和成本，同时提高了功率密度，这对提高电动汽车、电动汽车充电和能源基础设施的效率至关重要。而半绝缘型碳化硅（SiC）衬底用于氮化镓外延，具有非常高的热导率，生产射频器件用于5G通信、航空航天、国防军工等领域。
SiC的禁带宽度是硅（Si）材料3倍以上，可承受其10倍以上的击穿电压。碳化硅衬底是较为核心环节，由碳化硅（SiC）粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。SiC晶体的硬度高，仅次于金刚石，化学性质十分稳定，常温下SiC与其他物质难于发生化学反应。CMP中的粗抛和精抛是影响SiC衬底加工效率和表面质量的关键步骤，因此，CMP材料品质的选择是十分重要的。
我司研制生产的COPOL抛光液系列，用于碳化硅衬底粗抛、精抛加工。其中COPOL-232粗抛液采用纳米级磨料，具有分散性好，去除速率高，加工后衬底表面无划伤，良率高等特点。
COPOL系列抛光液有多种型号可供选择
此外，我司为客户提供抛光液定制化服务，同时搭配使用我司的抛光垫，为客户提供稳定，安全可靠的CMP材料整体解决方案。
